破局SiC封裝瓶頸！廣電計量失效分析技術助跑第三代半導體應用

       針對先進封裝SiC功率模組在失效分析中的技術難題，集成電路測試與分析研究所研發了針對SiC功率模組的化學開封技術、單芯片激光開封技術、器件減薄技術等多項創新方案，成功解決了模組開封后芯片電極完整性差、X-Ray和聲掃測試困難等問題。

      （1）化學開封技術：通過在不同溫度和配比條件下尋找更好的開封條件，確保芯片表面電極結構的完整性，解決了模組開封后芯片電極易損壞的難題。

       （2）單芯片激光開封技術：針對模組開封面積大的情況，提出單芯片激光開封和單方向腐蝕的方式，精準控制塑封料的腐蝕進程，大程度保留芯片表面結構。

       （3）器件減薄技術：通過減薄器件，解決了先進封裝模組在X-Ray和聲掃測試中的難題，提升了測試的準確性和可靠性。

       此外，團隊還搭建了芯片失效分析數據庫，將芯片的失效現象與失效邏輯相對應，成功攻克了模組失效分析的全流程問題，為SiC功率模組的可靠性評估提供了強有力的技術支持。

       針對先進封裝的SiC功率模組在失效分析方面的測試難點，廣電計量建立了先進封裝SiC功率模組失效分析技術，確保了測試的可靠性和精確性，可廣泛用于新能源汽車、5G通信、數據中心、第三代半導體等領域SiC功率模組的可靠性與失效分析。

       廣電計量集成電路測試與分析研究所擁有各類高精尖分析儀器和專業技術團隊，以技術帶動市場，長期致力于元器件篩選及失效分析技術領域的科研和咨詢服務，構建了包括元器件國產化驗證與競品分析、集成電路測試與工藝評價、半導體功率器件質量提升工程、車規級芯片與元器件AEC-Q認證、車規功率模塊AQG 324認證等多個技術服務平臺，滿足裝備制造、航空航天、汽車、軌道交通、5G通信、光電器件與傳感器等領域的電子產品質量與可靠性的需求，能為客戶提供專業化咨詢、分析及培訓等“一站式"服務，全面提升產品品質。